AOI4144,TO-251短脚,DIP/MOS,N场,30V,55A,0.008Ω
产品型号:AOI4144
AOI4144采用了SDMOSTM沟槽技术，结合优异的RDS（ON）与低栅极电荷和低Qrr。其结果是出色的效率与控制的开关行为。
这种普遍的技术非常适合于PWM，负荷开关和通用应用。
封装:TO-251短脚
品牌：AO
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):55
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.008 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.4
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):1190 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：40
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):45
导通延迟时间Td(on)(ns):7 typ.
上升时间Tr(ns):10 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):22 typ.
下降时间Tf(ns):5 typ.
温度(℃): -55 ~175
描述:AOI4144,30V,55A,0.008Ω N-沟道增强型场效应晶体管
